COTE : MAS2015/GC55
ISSN : 0
TITRE : Modelisation des transistors a effet de champ a dopage module : Performances physiques et potentielles des heterostructyres(HEMTs) a gaz bidimensionnel a tres haute mobilite electronique
AUTEUR : Marir-Benabbes,Mimia
NBRE EXEMPLAIRE : 2